3M™ 鑽石研磨盤C系列

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優化的鑽石形狀、節距控制和鑽石方向

提高一致性並減少鑽石研磨盤間差異

研磨墊磨損率衰減較慢,移除率和profile穩定

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該圖突出了CMP研磨盤塗層,適用於金屬敏感工藝。
3M™ CMP研磨盤塗層

享受對金屬敏感工藝的有效研磨。 3M™ CMP研磨盤塗層是研磨盤上的一層耐用的塗層,可以説明減少高達75%的金屬析出。 塗層結合了強大的3M燒結研磨技術,進一步減少微觀和宏觀划傷缺陷。

詳細訊息

產品亮點
  • 優化的鑽石形狀、節距控制和鑽石方向
  • 提高一致性並減少鑽石研磨盤間差異
  • 研磨墊磨損率衰減較慢,移除率和profile穩定
  • 具有延長鑽石研磨盤壽命和研磨墊壽命的潛力
  • 採用 3M 燒結磨料技術,實現堅固的鑽石附著力
  • 與傳統設計相比,平整度控制提高了 40%

3M™ 鑽石研磨盤C 系列是一款高度工程化的化學機械平坦化 (CMP) 研磨盤,可協助您在關鍵的半導體 CMP 應用中提供可靠的效能。使用 3M™ 鑽石研磨盤C 系列刷新您的 CMP 拋光墊表面。它還可以最大程度地減少磨損並保持一致的粗糙度和一致的研磨墊性能。這些鑽石研磨盤採用 3M 專有的燒結磨料技術,可實現出色的鑽石保持力,與傳統鑽石研磨盤相比,有助於實現更長的使用壽命以及更好的形狀和鑽石方向控制。改進的一致性和更小的變化使您能夠減少變數並優化 CMP 效能。

  •  Icon of three CMP pads representing improved consistency
    優化一致性
  • Icon of a cross-section of CMP pad showing diamond height representing optimized topography
    優化表面形態
  • Icon of a diamond pad next to a checklist representing tunable performance.
    可調整性能
3M CMP products mapped out by disk aggressiveness and pad roughness
廣泛的調整性能選擇

超精確鑽石放置

  • Microscopic image showing legacy diamond placement next to a graphic showing diamond height inconsistencies.
    傳統3M 研磨盤
  • Microscopic image showing new diamond placement next to a graphic showing diamond height consistency.
    3M™ 鑽石研磨盤 C 系列

規格

相關資源

常見問題

3M使用獨有的燒結研磨工藝,通過化學和機械鍵合將鑽石附著在資料上,以提高鑽石的保留率。
在選擇研磨盤的時候需要進行相容性測試,以確保您的研磨墊、晶圓和研磨液組合表現最佳。 3M的技術團隊擁有許多常見化學物質的數據-從鎢到銅,多晶矽到STI等等-均已被證明與我們的產品相容。 在世界各地的實驗室,我們均可測試定製化的產品。
3M™ 鑽石研磨盤C系列將我們超過25年的鑽石研磨盤經驗提升到一個新的精度水準。 鑽石被排布在微米尺度的精確網格中,並定向到最大限度地平坦度、共平面度和修整性能。
在本頁或任何其他3M CMP材料網頁上提交「聯繫銷售代表」表格,3M團隊將與您聯繫,討論您的需求。

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