3M CMP研磨墊用於 半導體
為您的化學機械平坦化（CMP）工藝提供始終如一的可持續預測、穩定一致的性能
在半導體製造過程中，化學機械平坦化（CMP）工藝在保持性能和成本效益一致性上面臨著諸多挑戰。 不斷提高產量的需求使晶圓廠的生產沒有任何變化的餘地，這可能會導致浪費或設備可靠性的風險。 與其只能選擇高度平坦化或者低缺陷率，不如將兩者都收入囊中。 您是否還在考慮使用傳統的鑽石研磨盤？其實可以有更好的選擇。 選擇3M™ Trizact™ CMP研磨盤，重新定義您的CMP製程。
讓我們一起合作！貴司如果遇到工藝上的新挑戰，請聯繫我們，直接獲得3M技術專家團隊的支援。 3M擁有全球各地的實驗平臺及強勁的製造能力，貴司可以及時獲得專家團隊的技術支持，並且享受本地樣品測試和產品反覆運算升級的便利。
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適用於先進節點的先進性能
每個3M™ Trizact™ CMP研磨墊的核心科技是微複製技術——也就是3M核心技術平臺之一，我們能夠在研磨墊表面精確地雕刻出耐用持久的微觀3D形狀。
這種高度可控和可調的工藝將凹凸不平和孔隙排列成獨立的單元，以實現晶圓上均勻的拋光和壓力，是先進節點的理想選擇。 研磨了1000片晶圓後，3M微複製研磨墊保持了尺寸完整性，比傳統研磨墊磨損减少了15倍以上。
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研磨均勻性提升
通過較低的模內不均勻性（WIDNU）水平來測量，3M的微複製CMP研磨墊在至少2000片晶圓研磨過程中表現出非常一致的晶圓到晶圓的穩定性、可重複性和均勻性[1，第5頁]。 在測試中，3M™ Trizact™ CMP研磨墊將柵極高度WIDNU降低了30%以上，將柵極頂部介電厚度WIDNU降低了40%以上。
資訊來源:：[1] 用於鎢的化學機械拋光的微複製研磨墊
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更快、更精準地平坦化
3M™ Trizact™ CMP研磨墊可以快速、精準、均勻地實現平坦化。 傳統的研磨墊可能需要在氮化矽層上沉積一層厚度超過2000埃的低效氧化層，以允許不夠精確地研磨，而3M研磨墊僅需65%的量。 這可以節省氧化物沉積和用於CMP工藝的研磨液。 此外，研磨所需材料更少意味著研磨時間更短。 測試表明，與傳統的鑽石研磨墊相比，去除氧化層所需的時間減少了50%以上。
需要研磨盤？3M可以幫忙。
3M™ CMP研磨盤系列可滿足不同工藝需求的應用：從用於先進製程的3M™ Trizact™ 微複製研磨盤，到用於成熟製程的鑽石研磨盤和經濟環保型研磨刷。
篩選條件
